半导体去胶技晶圆等离子去胶工艺，可去除光刻胶、污染物、残余物和其他无用杂质

等离子去胶机在晶圆制造工艺中扮演着重要的角色。晶圆去胶是一个重要的步骤。以便进行后续的加工和制造步骤，它用于去除晶圆表面的胶层。 

光刻胶（PR, Photo Resist）是半导体晶圆制造的核心材料、耗时占整个晶圆工艺的40-50%，在晶圆制程中，光刻工艺约占整个晶圆制造成本的35%。在光刻环节里有个不可或缺的步骤就是晶圆去胶、光刻胶去胶工艺在离子植入或刻蚀之后，晶圆表面剩余光刻胶和残余物需要通过去胶工艺进行完全清除。为了清除光刻胶、颗粒、污染物、残余物和其他无用材料。必须在制造过程中对硅片清洗，提高芯片成品率。 

半导体光刻胶去除工艺，湿法去胶和干法去胶，一般分成两种。相对于湿法去胶、等离子干法去胶利用高能等离子体处理光刻胶表面，有效且高效的半导体光刻胶去除工具，不需引入化学物质，是现有去胶工艺中最好，去胶彻底且速度快，减少了对晶圆材料的腐蚀和损伤，具有高效、均匀、无损伤等特点。

等离子干式去胶工艺优势： 
彻底去胶且速度快：去胶彻底且速度快，等离子干法去胶利用高能等离子体处理光刻胶表面。 
无需引入化学物质：这种方法不需要引入化学物质，从而减少了对晶圆材料的腐蚀和损伤。 
成品率高、工序简单、时间短：等离子体去胶法是一种干式法，具有成品率高、工序简单、时间短的优点。 
操作较安全、重复性好：这种方法的操作较安全，重复性好。 
无需进行废液处理：等离子体去胶法无需进行废液处理。 
环保干净。清洗过程可控性非常强，整个处理环保干净，清洗过程可控性非常强：等离子干刻机的去胶只需气体的参与，无需化学试剂的浸泡，无需烘干。 

降低成本。提高产品的良品率以及生产效率：这种工艺还能够降低成本，提高产品的良品率以及生产效率。 

等离子干式去胶工艺适用多种场景： 
半导体晶圆：半导体单片扫胶、扫底膜工艺、元器件封装前、芯片制造等行业的重要清洗步骤。 
硅基材料：硅基材料的晶圆表面去胶清洗。 
砷化镓、氮化镓等：等离子去胶的工作原理是在真空状态下，在物理、化学双重作用下对清洗的部件如砷化镓、氮化镓等进行表面的轰击，以此，使得气体产生活性等离子体。 
光刻胶：用于光刻胶去除。 
碳化硅：用于碳化硅刻蚀。 
硬掩膜层：用于硬掩膜层干法清除。 

氧化硅或氮化硅：用于氧化硅或氮化硅刻蚀。 

等离子去胶机采用高密度、低损伤等离子源设计。去胶均匀性表现优异，独立腔室结构，达到高水平的去胶速率，用实现均匀的流场分布。它在半导体器件制造过程中起着重要的作用，帮助提高生产效率并保持晶圆的质量。