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ICP腐蚀过程的完整腐蚀过程可分为三个步骤:(1)吸附腐蚀性物质;②形成挥发物;(3)去除附着物。这一过程包括化学和物理过程:蚀刻气体以电感耦合的方式发出辉光放电。附着力好英文产生活性基团。例如中性粒子和电子器件等。中性粒子与被蚀刻材料表面的原子发生反应，这些挥发性物质通过真空系统抽真空室被气体进行化学腐蚀，产生挥发性物质。。等离子体发生器加工技术在纺织产品制造和加工行业有许多潜在的应用。

随着生产要求和经营的增加。都进行了升级，这些产品的设计都是为了满足不断变化的生产环境，附着力好英文四、八间可伸缩等离子体体腔体是中小型企业或科研院所产能低、混合程度高的理想选择，从配送、泵包的用户界面和控制参数。通过共享相似的组件和接口，等离子体处理PCB板的能力变得更容易。与其他系列等离子体系统相似，它是独立的，占用空间小。底盘配备等离子体室、控制电子、13.56MHz射频发生器、泵/风机组合和自动匹配网络。

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对未经处理的ITO表面形貌和等离子体处理后ITO表面形貌的分析表明，ITO表面的平均粗糙度和峰谷距离显着降低，表面颗粒半径也显着降低。许多。降低的平均粗糙度和表面颗粒半径增加了 ITO 和有机层之间的接触表面。这有利于氧原子的粘附。等离子清洗设备的等离子处理可以更好地改善ITO的表面形貌。同时可以看出。表面集中了一层带负电荷的氧，ITO表面的氧空穴明显增多。 , 形成增加 ITO 表面的界面偶极层。

HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结，AlGaN/GaN HEMT器件的A1GaN和GaN界面处会形成一个2DEG的表面通道，此2DEG受控于栅极电压。

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