zno表面改性（掺杂zno表面改性）

在 PLASMA 等离子体的作用下，zno表面改性负载型镧系元素氧化物催化剂 CO2 将 CH4 氧化为 C2。负载型镧系元素氧化物催化剂具有良好的OCM反应性。在催化活化的 CO2 反应将 CH4 氧化为 C2 烃时，LA2O3 / ZNO 显示出高达 97% 的 C2 烃选择性（甲烷在 850 °C 下的转化率为 2.1%）。

NIO / Y-AL2O3> ZNO / Y-AL2O3 ≈ MOO3 / Y-AL2O3> RE2Q7 / Y -AL2O3> TIO2 / 7-AL2O3 ≈ CR2O3 / Y-AL2O3 ≈ MN2O3 / Y-AL2O3> NA2WO4 / Y-AL2O3 ≈ FEO3 / Y-AL2O3> CO2O2 / Y-AL203。

以CO2 为氧化剂的CH4氧化偶联反应在上述十种负载型过渡金属氧化物催化剂作用下C2烃选择性由大至小的顺序是：Na2WO4/Y-Al2O3>Cr203/Y-Al203 ≈Fe203/Y-Al203>TiO2/Y-Al203>Mn203/Y-Al203≈Co203/Y-Al203>NiO/Y-Al203> ZnO/Y-A12O3≈Re207/Y-A12O3>MoO3/Y-Al2O3。

科学技术的发展不断推动着半导体的发展。先进的自动化和电脑等高科技产品成本降低了硅晶片(集成电路)到一个非常低的水平。(2)规格wafersSilicon硅晶片的规格有多种分类方法,可分为根据硅片直径,单一的晶体生长方法,掺杂类型等参数及用途。硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸(300mm)，zno表面改性现已发展到18英寸(450mm)等规格。

掺杂zno表面改性

温蚀刻光静电制备过程中磷的分散不可避免地会用磷掺杂电池的表面和边缘。光生电子随着磷的分散从正面流向背面，在PN结中形成短路，降低并联电阻。并联电阻反映电池泄漏影响太阳能电池开路电压的电平会降低开路电压，但对短路电流没有影响。电池表面也形成PSG（磷硅玻璃），PSG容易吸收空气中的水分，造成电流下降和电功率衰减。冷等离子体可以通过吹扫颗粒分解过度分散的磷来达到去除PSG的目的。四。

随着自动化和计算机技术的发展。硅片（集成电路）这一高科技产品的成本已经降低到很低的水平。（2）硅片规格硅片规格可根据硅片直径、单晶生长方法、掺杂类型等参数和用途进行分类。1.除以晶圆直径硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸和12英寸(300mm)。目前已发展到18英寸(450mm)。直径越大。每块芯片的成本也就越低，通过一个工艺周期就能在硅片上制作出越多的集成电路芯片。

等离子表面处理设备提供了对材料表面进行改性以提高表面能、附着力、印刷和润湿性的能力。等离子还提供了涂有防水产品的能力。事实上，几乎任何材料都可以用等离子体处理。等离子表面处理设备处理的污染物通常是看不见的，属于纳米级。这种污染会影响物体与胶水和墨水等其他物质相互作用的能力。有机物可以通过用等离子体处理物体表面来去除。等离子表面处理设备可以提高键合或焊料的键合强度，提高印刷可靠性。

铝片表面沉积的类PEG结构。在食品工业和医学移植等方面具有重要应用前景，细菌粘附减少80%以上，能极大地降低细菌粘附，与改性前相比。。上医院看病或住院治疗时,我们期望我们所用的医疗器械都是无菌的。多年来,借助等离子处理技术,心肺机瓣膜的生产就能做到安全的无菌状态。 等离子处理技术还可以帮助生产药品和医疗器械的无菌包装材料。只要正确地施加等离子体能量,处理过程不会改变材料的特性,却可以彻底的杀灭细菌。

zno表面改性

这项技术可以应用于许多领域。等离子技术真空等离子清洗机是北京公司的独家代理。等离子技术真空等离子清洗机可以完成表面改性、活化、蚀刻和纳米涂层。。等离子清洗机表面活化由一台设备完成等离子体是气体分子在真空、放电等特殊场合产生的物质。产生等离子体的等离子体清洗蚀刻设备是在密封容器中设置两个电极形成电磁场。随着气体越来越稀薄，掺杂zno表面改性用真空泵实现一定程度的真空，分子之间的距离以及分子或离子的自由运动距离越来越长。

等离子体清洗设备可用于物体表面清洗、蚀刻、表面活化改性等场合，掺杂zno表面改性通过等离子体处理，同时去除有机污染物，确保连接张力满足规范要求，可使新能源材料润湿性、附着力增强、附着力等。目前，耗时长，光伏组件的等离子体加工大多是人工操作。此外。等离子枪与底板之间的距离无法精确控制，容易造成底板损坏。光电背板电离器自动修正是指安装在电流微调工作台上的清洗装置。采用前排布置。控制方式由手动控制改为自动控制，并与装配线相连。